LST是检测半导体材料的体微缺陷有力工具，通过CCD相机，对入射光在样品边沿的散射进行扫描，获得体微缺陷分布信息。

LEIModel1605，是非接触迁移率测试系统，可对各种半导体材料和器件结构进行测试。无需制样，消除了样品制备引起的迁移率变化。

LEI88 是针对科研类客户开发的产品，具备非接触快速测试方块电阻和电导率功能。

非接触Hal和方块电阳测试系统，可对GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各种半导体材料设计的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件结构进行测试。

SRP 测试系统，采用扩展电阻率技术(SRP)，对载流子浓度和电阻率随深度的变化做快速测试。

准稳态-光致发光可以将QSS准稳态少子寿命测试和PL光致发光技术相结合，快速获得样品的少子寿命分布图谱信息。

光致发光主要对材料能带结构，杂质浓度和缺陷，组分机理以及材料质量进行检测。WT-2000PL专门针对PL应用开发，具有非接触，快速，可变温，光斑等特点。

Semilab PV-2000A是业界功能最（zui）先进的，用于晶硅太阳能电池片生产及光伏工艺研发的非接触电学表征系统,以满足硅片到成品电池片不同工艺控制的测试需求。

LEI Model2017B，通过汞探针接触方法，对各类半导体材料的载流子浓度分布进行测试，特别适合GaN.SiC等化合物材料。

汞CV测试系统，用于对外延或前道工艺中的non-pattemed晶片做汞C-V测试;MCV-530L可测最大200mm的样品。

CV-1500，用于测试界面和介电层的科研平台，基于SDI Corona-Kelvin技术，可以进行非接触C-V/I-V测试。

深能级瞬态谱仪(DLTS)是检测半导体材料和器件缺陷和杂质的最好技术手段，它可以测定各种深能级相关参数，如深能级，俘获界面，浓度分布等。